Лазерний діод накачування 980 нм Виробники

Наша фабрика пропонує модулі волоконних лазерів, надшвидкісні лазерні модулі, високопотужні діодні лазери. Наша компанія використовує іноземні технологічні технології, має сучасне виробниче та випробувальне обладнання, у пакеті зчеплення пристрою, дизайн модуля має провідні переваги в галузі технологій та контролю витрат, а також ідеальну систему забезпечення якості, може гарантувати високу продуктивність для клієнта , Оптико-електронна продукція надійної якості.

Гарячі продукти

  • Подвійний модуль джерела лазерного випромінювача

    Подвійний модуль джерела лазерного випромінювача

    Box Optronics незалежно розроблена подвійна модуль джерела -джерела, що випромінює, приймає напівпровідник DFB Лазерна мікросхема, одномодовий вихід волокна, професійна конструкція рушійної схеми та управління TEC, щоб забезпечити безпечну та стабільну роботу лазера.
  • 500um TO CAN InGaAs лавинні фотодіоди APD

    500um TO CAN InGaAs лавинні фотодіоди APD

    500um TO CAN Лавинні фотодіоди InGaAs APDs є найбільшим комерційно доступним InGaAs APDs з високою чутливістю та надзвичайно швидким часом наростання та спаду в діапазоні довжин хвиль від 1100 до 1650 нм, пік чутливості на 1550 нм ідеально підходить для безпечних для очей програм далекоміру, вільного простору оптичного зв'язку, рефлектометра та оптичної когерентної томографії. Мікросхема герметично запечатана в модифікованому корпусі TO, також доступна опція з косичкою.
  • 1064 нм 200 мВт DFB лазерний діод метелик

    1064 нм 200 мВт DFB лазерний діод метелик

    Лазерний діод DFB Butterfly 1064 нм потужністю 200 мВт — це вузьколінійний лазер із шириною лінії 100 кГц і вихідною потужністю до 200 мВт, який широко використовується у джерелах волоконного лазера та лідарах.
  • 830 нм 2 Вт волоконно-діодний лазер

    830 нм 2 Вт волоконно-діодний лазер

    Діодний лазер 830 нм 2 Вт розроблений для отримання об’ємних продуктів з високою ефективністю, стабільністю та чудовою якістю променя. Продукти досягаються шляхом перетворення асиметричного випромінювання від мікросхеми лазерного діода у вихідне волокно з малим діаметром серцевини за допомогою спеціальної мікрооптики. Процедури інспектування та випалювання в кожному аспекті дають результат, що гарантує кожному продукту надійність, стабільність і тривалий термін служби.
  • Чіп 915 нм 12 Вт на підмонтованому лазерному діоді COS

    Чіп 915 нм 12 Вт на підмонтованому лазерному діоді COS

    Мікросхема 915 нм потужністю 12 Вт на підмонтованому лазерному діоді COS із використанням зв’язку AuSn і пакету P Down із багатьма перевагами високої надійності, стабільної вихідної потужності, високої потужності, високої ефективності, тривалого терміну служби та високої сумісності широко використовується на ринку.
  • Оптоволоконні підсилювачі з легованим ербієм високої потужності 3 Вт 35 дБм C-діапазону EDFA

    Оптоволоконні підсилювачі з легованим ербієм високої потужності 3 Вт 35 дБм C-діапазону EDFA

    Оптоволоконні підсилювачі з легованим ербієм високої потужності C-діапазону 3 Вт і потужністю 35 дБм EDFA (EYDFA-HP) засновані на технології підсилювача з волокном з подвійною оболонкою, легованого ербієм, з використанням унікального процесу оптичного пакування в поєднанні з надійною конструкцією захисту від лазера високої потужності. , для досягнення високої потужності лазерного випромінювання в діапазоні довжин хвиль 1540~1565 нм. З високою потужністю та низьким рівнем шуму його можна використовувати у волоконно-оптичному зв’язку, Лідарі тощо.

Надіслати запит