+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
Продукти
додому > Продукти > Раман WDM

Раман WDM Виробники

Наша фабрика пропонує модулі волоконних лазерів, надшвидкісні лазерні модулі, високопотужні діодні лазери. Наша компанія використовує іноземні технологічні технології, має сучасне виробниче та випробувальне обладнання, у пакеті зчеплення пристрою, дизайн модуля має провідні переваги в галузі технологій та контролю витрат, а також ідеальну систему забезпечення якості, може гарантувати високу продуктивність для клієнта , Оптико-електронна продукція надійної якості.

Супутні товари

Гарячі продукти

  • Волокно, леговане ербієм L-діапазону

    Волокно, леговане ербієм L-діапазону

    Волокно L-діапазону, леговане ербієм, леговане та оптимізоване для одноканальних і багатоканальних волоконних підсилювачів L-діапазону, джерел світла ASE, міських мереж, кабельного телебачення та EDFA для DWDM. Високе легування може зменшити довжину ербієвого волокна, тим самим зменшуючи нелінійний ефект волокна. Волокно може перекачуватися при 980 нм або 1480 нм, воно має низькі втрати та хорошу узгодженість з комунікаційними волоконними з’єднаннями.
  • 1590 нм SM діодний лазер з косичками з TEC

    1590 нм SM діодний лазер з косичками з TEC

    Діодний лазер 1590 нм SM з косичками з TEC зазвичай застосовується для стабілізації або модуляції джерела світла. Крім того, високостабільне лазерне джерело можна використовувати для лазерної системи та обладнання OTDR. Лазерний діод складається з мікросхеми CWDM-DFB, вбудованого ізолятора, вбудованого фотодіода монітора та охолоджувача TEC, а також оптичного волоконного роз’єму SC/APC,SC/PC, FC/APC,FC/PC. Клієнти можуть вибрати довжина оптичного волокна та визначення контакту на основі фактичного попиту. Вихідна потужність доступна від 1 МВт, доступна довжина хвилі CWDM 1270 нм ~ 1610 нм.
  • 915 нм 150 Вт високояскравий оптоволоконний діодний лазер

    915 нм 150 Вт високояскравий оптоволоконний діодний лазер

    Оптоволоконний діодний лазер високої яскравості 915 нм потужністю 150 Вт забезпечує вихідну потужність до 150 Вт через волокно 106 мкм. Він заснований на техніці одного випромінювача та техніці просторового розчісування та поляризаційного розчісування, отже реалізуючи високу потужність і високу яскравість лазера.
  • Волоконний лазерний модуль 1064 нм для вихідного джерела в системі MOPA

    Волоконний лазерний модуль 1064 нм для вихідного джерела в системі MOPA

    Волоконний лазерний модуль 1064 нм для початкового джерела в системі MOPA може використовуватися як початковий лазер високопотужного лазера, волоконних пристроїв із діапазоном 1060 нм.
  • 975 нм 976 нм 980 нм 30 Вт 2-контактний волоконно-діодний лазер

    975 нм 976 нм 980 нм 30 Вт 2-контактний волоконно-діодний лазер

    975nm 976nm 980nm 30W 2-PIN Fiber Coupled Diode Laser, побудований на основі лазерних діодів з одним випромінювачем, високоякісного волоконного зв’язку та спрощеної упаковки. Він пропонує найвищу яскравість та найвищу вихідну потужність.
  • 1 мм фотодіод InGaAs з активною зоною

    1 мм фотодіод InGaAs з активною зоною

    1-мм фотодіод з активною зоною InGaAs PIN для виявлення ближнього інфрачервоного світла. Характеристики включають високу швидкість, високу чутливість, низький рівень шуму та спектральні відгуки в діапазоні від 1100 нм до 1650 нм. Підходять для широкого кола застосувань, включаючи оптичний зв’язок, аналіз та вимірювання.
  • Пов'язаний блог
  • Відгуки

  • Оптична виставка Китай 2023, XMIPE

    Оптична виставка Сямень Китай 2023, XMIPE, була успішно відкрита 13 листопада. Продукція, представлена ​​BoxOptronics, включає широкосмугове джерело світла SLD з довжиною 840 нм, лазерний метелик DFB і волоконний підсилювач з легованим ербієм.

  • Ласкаво просимо відвідати нас у CIOE 2025

    Ласкаво просимо відвідати нас у CIOE 2025,

  • Ключова технологія лазерного діода високої потужності

    Оптимізація структурної конструкції: три основні принципи напівпровідникових лазерів: електрична інжекція та обмеження, електрооптичне перетворення, оптичне обмеження та вихід, які відповідають конструкції електричної інжекції, конструкції квантової ями та конструкції оптичного поля хвилеводної структури, відповідно. Оптимізація структури квантових ям, квантових дротів, квантових точок і фотонних кристалів сприяла безперервному вдосконаленню лазерної технології, завдяки чому вихідна потужність і ефективність електрооптичного перетворення лазерів ставали все вищими і вищими, якість променя ставала все кращою і кращою. надійність .

  • Застосування технології оптичного волокна на основі Інтернету речей

  • Застосування EDFA в системі зв'язку

    Основною функцією EDFA в оптоволоконній системі зв'язку є збільшення відстані ретрансляції. У поєднанні з технологією мультиплексування за довжиною хвилі та технологією оптичної дуги він може реалізувати надвелику ємність і передачу на наддалекі відстані.

  • Ринок напівпровідникових лазерів має широкі перспективи та широкий спектр галузевих застосувань

    Напівпровідниковий лазер — це різновид лазера, розробленого в 1960-х роках, з використанням напівпровідникових матеріалів як робочих матеріалів. З кінця 1970-х років напівпровідникові лазери чітко розвивалися у двох напрямках. Один тип — це лазери інформаційного типу з метою передачі інформації, а інший тип — лазери силового типу з метою безпосереднього використання оптичної сили вихідного лазера.

Надіслати запит

Авторське право @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. – Китайські волоконно-оптичні модулі, виробники оптоволоконних лазерів, постачальники лазерних компонентів. Усі права захищено.