915 нм 50 Вт діодний лазер для накачування Виробники

Лазерний діод DFB Butterfly 1567 нм для визначення CO від BoxOptronics, який є економічно ефективним, висококогерентним лазерним джерелом. Лазерний діодний чіп DFB упакований у промисловий стандартний герметично закритий 14-контактний корпус із вбудованими TEC та PD.

Цей високоякісний волоконно-лазерний діод 760 нм потужністю 2 Вт був розроблений для накачування волоконним лазером, а також у медицині чи обробці матеріалів. Він забезпечує потужність лазера до 2 Вт від волокна 105 мкм до числової апертури 0,22 з додатковою стабілізацією довжини хвилі від 760 нм.

Лазерний діодний модуль DFB Pigtail 1550 нм складається з лазерів із розподіленим зворотним зв’язком (DFB), які мають волоконну косичку, точно прикріплену для оптимальної ефективності з’єднання. Ця версія з центральною довжиною хвилі 1550 нм має типову вихідну потужність 1 мВт~4 мВт і включає задній фасетний фотодіод та вбудований оптичний ізолятор. Одномодове волокно 9/125 закінчується оптоволоконним роз’ємом типу FC/APC або FC/PC. Застосування включають високошвидкісні системи та телекомунікаційні системи та прилади, а також оптичні прилади, для яких потрібен лазерний діод.

1330 нм коаксіальний лазерний діод DFB TEC SM із косичками зазвичай використовується для стабілізації або модуляції джерела світла. Крім того, високостабільне лазерне джерело можна використовувати для тестування апаратури та обладнання OTDR. Лазерний діод складається з мікросхеми CWDM-DFB, вбудованого ізолятора, вбудованого фотодіода монітора та охолоджувача TEC, а також оптоволоконного роз’єму SC/APC,SC/PC, FC/APC,FC/PC. Клієнти можуть вибрати довжину оптичного волокна та визначення штифтів на основі фактичного попиту. Вихідна потужність доступна від 1 МВт, доступна довжина хвилі CWDM 1270 нм ~ 1610 нм.

Оптоволоконний лазерний діод 793 нм потужністю 10 Вт MM представляє новий модуль високої яскравості з одним випромінювачем і оптоволоконним діодним лазерним насосом, який забезпечує вихідну потужність 10 Вт у серцевину волокна 105 мкм на довжині хвилі 793 нм із числовою апертурою 0,22 NA.

500um InGaAs Avalanche Photodiode Chip спеціально розроблений, щоб мати низький темний, низьку ємність і високе лавинне посилення. Використовуючи цей чіп, можна досягти оптичного приймача з високою чутливістю.