1578 нм 10 мВт DFB лазерний діод метелик Виробники

Оптимізація структурної конструкції: три основні принципи напівпровідникових лазерів: електрична інжекція та обмеження, електрооптичне перетворення, оптичне обмеження та вихід, які відповідають конструкції електричної інжекції, конструкції квантової ями та конструкції оптичного поля хвилеводної структури, відповідно. Оптимізація структури квантових ям, квантових дротів, квантових точок і фотонних кристалів сприяла безперервному вдосконаленню лазерної технології, завдяки чому вихідна потужність і ефективність електрооптичного перетворення лазерів ставали все вищими і вищими, якість променя ставала все кращою і кращою. надійність .

Високопотужні надшвидкісні лазери широко використовуються через їх коротку тривалість імпульсу та пікову потужність. Надшвидкісні лазери використовуються для обробки матеріалів, медичних волоконних лазерів, мікроскопії та інших галузях.

Безпосередньо генерування видимого світла від компактних лазерів з усіма волокнами, зберігаючи високі вихідні характеристики, завжди було дослідницькою темою в лазерній технології. Тут Джі та ін. Запропонований метод розробки лазерів подвійної хвилі за допомогою механізму збудження у скляних волокнах фтору ZBLAN, що лежать в голмії, та експериментально досягнуто високої продуктивності виводу лазерів з усіма волокнами, особливо працює в глибокій червоній смузі під 640 нм накачування. Зокрема, максимальна безперервна вихідна потужність хвилі 271 МВт була досягнута при 750 нм з ефективністю нахилу 45,1%, що є найвищою потужністю прямого виходу, зафіксованою у лазерах з усіма волокнами з діаметром ядра менше 10 мкм у глибокій червоній смузі.

Нещодавно за підтримки Національного фонду природничих наук Китаю, фундаментальних досліджень Шеньчженя та інших проектів доцент Цзінь Лімін, член групи мікронанооптоелектроніки Харбінського технологічного інституту (Шеньчжень), співпрацював з професором Ван Феном і професором Чжу Шиде з Міського університету Гонконгу та опублікував дослідницьку статтю у всесвітньо відомому журналі Nature-Communications. Комунікаційним підрозділом є Харбінський технологічний інститут (Шеньчжень).

З моменту винаходу першого в світі напівпровідникового лазера в 1962 році напівпровідниковий лазер зазнав величезних змін, значно сприяючи розвитку інших наук і технологій, і вважається одним з найбільших винаходів людини в ХХ столітті. За останні десять років напівпровідникові лазери розвивалися швидше і стали найшвидше зростаючою лазерною технологією у світі. Спектр застосування напівпровідникових лазерів охоплює всю область оптоелектроніки і став основою сучасної оптоелектроніки. Завдяки перевагам невеликого розміру, простої структури, низької енергії, тривалого терміну служби, легкої модуляції та низької ціни, напівпровідникові лазери широко використовуються в області оптоелектроніки і високо цінуються країнами по всьому світу.

В останні роки волоконні лазери, леговані тулієм, привертають все більше уваги завдяки своїм перевагам, таким як компактна структура, хороша якість променя та висока квантова ефективність. Серед них високопотужні безперервні леговані тулієм волоконні лазери мають важливе застосування в багатьох галузях, таких як медичне обслуговування, військова безпека, космічний зв’язок, виявлення забруднення повітря та обробка матеріалів. За останні майже 20 років високопотужні волоконні лазери безперервної дії, леговані тулієм, швидко розвивалися, і поточна максимальна вихідна потужність досягла кіловатного рівня. Далі розглянемо шляхи підвищення потужності та тенденції розвитку волоконних лазерів, легованих тулієм, з точки зору осциляторів і систем підсилення.