+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
Продукти
додому > Продукти > 1310 нм SLD

1310 нм SLD Виробники

Наша фабрика пропонує модулі волоконних лазерів, надшвидкісні лазерні модулі, високопотужні діодні лазери. Наша компанія використовує іноземні технологічні технології, має сучасне виробниче та випробувальне обладнання, у пакеті зчеплення пристрою, дизайн модуля має провідні переваги в галузі технологій та контролю витрат, а також ідеальну систему забезпечення якості, може гарантувати високу продуктивність для клієнта , Оптико-електронна продукція надійної якості.

Супутні товари

Гарячі продукти

  • 793 нм 10 Вт MM волоконний лазерний діод

    793 нм 10 Вт MM волоконний лазерний діод

    Оптоволоконний лазерний діод 793 нм потужністю 10 Вт MM представляє новий модуль високої яскравості з одним випромінювачем і оптоволоконним діодним лазерним насосом, який забезпечує вихідну потужність 10 Вт у серцевину волокна 105 мкм на довжині хвилі 793 нм із числовою апертурою 0,22 NA.
  • 808 нм 25 Вт діодне лазерне волокно, з’єднане для джерела накачування

    808 нм 25 Вт діодне лазерне волокно, з’єднане для джерела накачування

    808 нм 25 Вт діодне лазерне волокно, з’єднане для джерела насоса, широко використовується в освітленні, накачуванні та обробці матеріалів. BoxOptronics має спеціальні випромінювачі, які поєднують патент і вихідну потужність 808 нм оптоволоконного діодного лазера, яка може досягати 20 Вт. Ми також можемо налаштувати довжину хвилі та вихідну потужність відповідно до ваших вимог.
  • Коаксіальний лазерний діод DFB 1310 нм з TEC

    Коаксіальний лазерний діод DFB 1310 нм з TEC

    Коаксіальний лазерний діод DFB 1310 нм з TEC зазвичай використовується для стабілізації або модуляції джерела світла. Крім того, високостабільний лазерний джерело може використовуватися для тестування апаратури та обладнання OTDR. Лазерний діод складається з мікросхеми CWDM-DFB, вбудованого ізолятора, вбудованого фотодіода монітора та охолоджувача TEC, а також оптоволоконного роз’єму SC/APC,SC/PC, FC/APC,FC/PC. Клієнти можуть вибрати довжину оптичного волокна та визначення контактів на основі фактичного попиту. Вихідна потужність доступна від 1 МВт, доступна довжина хвилі CWDM 1270-1610 нм.
  • Лазерний діод DFB TO-CAN 1653,7 нм 13 мВт для визначення CH4

    Лазерний діод DFB TO-CAN 1653,7 нм 13 мВт для визначення CH4

    Лазерний діод DFB TO-CAN 1653,7 нм і потужністю 13 мВт для розпізнавання CH4 забезпечує надійну, стабільну довжину хвилі та високу вихідну потужність, з колімаційною лінзою. Цей поздовжньомодовий лазер розроблений спеціально для застосування газу, націленого на метан (CH4). Вихід з вузькою шириною лінії покращує продуктивність застосування в широкому діапазоні робочих умов.
  • 840 нм 850 нм 20 МВт суперлюмінесцентний діод (SLD) джерела світла

    840 нм 850 нм 20 МВт суперлюмінесцентний діод (SLD) джерела світла

    840 нм 850 нм 20 МВт суперлюмінесцентного діода (SLD) Джерела світла приймають напівпровідникову технологію Super Radiant Diode для виведення широкосмугового спектру і в той же час мають більш високу потужність виходу. Довжина робочої хвилі може бути обрана з 840 нм 1310 нм 1550 нм та іншої довжини хвилі, що підходить для таких застосувань, як оптичне зондування волокон. Ми можемо надати інтерфейс зв'язку та програмне забезпечення для комп'ютера хостинг для полегшення моніторингу стану джерела світла.
  • 200um InGaAs Avalanche фотодіодний чіп

    200um InGaAs Avalanche фотодіодний чіп

    200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip спеціально розроблений, щоб мати низький темний, низьку ємність і високе лавинне посилення. Використовуючи цей чіп, можна досягти оптичного приймача з високою чутливістю.
  • Пов'язаний блог
  • Відгуки

  • 25-та Китайська міжнародна оптоелектронна виставка (CIOE) 2024

    Ласкаво просимо на стенд BoxOptronics CIOE 2024

  • Вступ до термоелектричного охолоджувача TEC для лазерних діодів

    TEC (Thermo Electric Cooler) - це термоелектричний кулер або термоелектричний кулер. Його також називають холодильним чіпом TEC, оскільки він виглядає як мікросхема. Напівпровідникова термоелектрична холодильна технологія — це технологія перетворення енергії, яка використовує ефект Пельтьє напівпровідникових матеріалів для охолодження або нагрівання. Він широко використовується в оптоелектроніці, електронній промисловості, біомедицині, споживчій техніці та інших галузях. Так званий ефект Пельтьє відноситься до явища, коли постійний струм проходить через гальванічну пару, що складається з двох напівпровідникових матеріалів, один кінець поглинає тепло, а інший кінець виділяє тепло на обох кінцях гальванічної пари.

  • Що таке ультрашвидкий лазер?

    Надшвидкісний лазер - це різновид лазера на основі SESAM, лінзи Керра та інших технологій блокування режимів, ширина імпульсу становить порядку ps або навіть fs.

  • Застосування 1550 нм одночастотного перебудовуваного волоконного лазера

    Одночастотні волоконні лазери мають унікальні властивості, такі як надвузька ширина лінії, регульована частота, надвелика довжина когерентності та наднизький рівень шуму. Технологія FMCW на мікрохвильовому радарі може використовуватися для надвисокоточного когерентного виявлення цілей на наддалекій відстані. Змініть притаманні ринку концепції оптоволоконного датчика, лідару та лазерного визначення дальності та продовжуйте до кінця здійснювати революцію в області застосування лазерів.

  • Ринок напівпровідникових лазерів має широкі перспективи та широкий спектр галузевих застосувань

    Напівпровідниковий лазер — це різновид лазера, розробленого в 1960-х роках, з використанням напівпровідникових матеріалів як робочих матеріалів. З кінця 1970-х років напівпровідникові лазери чітко розвивалися у двох напрямках. Один тип – це лазери інформаційного типу з метою передачі інформації, а інший тип – лазери силового типу з метою безпосереднього використання оптичної сили вихідного лазера.

  • У 2021 році обсяг ринку лазерного обладнання Китаю досягне 98,8 млрд юанів

    В даний час Китай став найбільшою країною-виробником у світі, а внутрішній ринок має дедалі більший попит на продукцію лазерних технологій. Починаючи з 2010 року, завдяки постійному розширенню ринку додатків для лазерної обробки, лазерна промисловість Китаю поступово вступила в період швидкого розвитку. У 2018 році масштаби ринку лазерного обладнання Китаю досягли 60,5 мільярдів юанів, що на 22,22% більше порівняно з аналогічним періодом минулого року, а сукупний темп зростання з 2011 по 2018 рік досяг 26,45%. Китайський дослідницький інститут бізнес-індустрії прогнозує, що ринок лазерного обладнання Китаю досягне 98,8 мільярдів юанів у 2021 році.

Надіслати запит

Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Китайські волоконно -оптичні модулі, волоконні лазерні виробники, постачальники лазерних компонентів усі права захищені.