Оптоволоконний підсилювач із легованим ербієм високої потужності C-діапазону 1 Вт 30 дБм EYDFA (EYDFA-HP) заснований на технології підсилювача з легованим ербієм з подвійною оболонкою, з використанням унікального оптичного процесу упаковки в поєднанні з надійною конструкцією захисту від лазера високої потужності, для досягнення високої потужності лазерного випромінювання в діапазоні довжин хвиль 1540~1565 нм. З високою потужністю та низьким рівнем шуму його можна використовувати у волоконно-оптичному зв’язку, Лідарі тощо.
1-мм фотодіодний чіп InGaAs/InP PIN забезпечує чудовий відгук від 900 нм до 1700 нм, 1 мм фотодіодний чіп InGaAs/InP PIN ідеально підходить для оптичних мереж з високою пропускною здатністю 1310 нм і 1550 нм. Серія пристроїв забезпечує високу чутливість, низький темний струм і високу пропускну здатність для високої продуктивності та низької чутливості конструкції приймача. Цей пристрій ідеально підходить для виробників оптичних приймачів, транспондерів, модулів оптичної передачі та комбінованого PIN-фотодіода – трансімпедансного підсилювача.
BoxOptronics Panda Polarization Maintaining PM Erbium Fiber використовується в основному в оптичних підсилювачах із збереженням поляризації 1,5 мкм, лідарах і безпечних для очей лазерних виробах. Волокно зі збереженням поляризації, леговане ербієм, має високе подвійне променезаломлення та чудові характеристики збереження поляризації. Волокно має вищу концентрацію легування, що зменшує необхідну потужність накачування та довжину волокна, тим самим зменшуючи вплив нелінійних ефектів. У той же час, оптичне волокно демонструє низькі втрати при зрощенні та високу стійкість до вигину. На основі процесу підготовки оптичного волокна BoxOptronics Laser оптичне волокно, леговане ербієм, зберігає поляризацію, має хорошу консистенцію.
Оптоволоконні підсилювачі з легованим ербієм високої потужності C-діапазону 2 Вт і потужністю 33 дБм EDFA (EYDFA-HP) засновані на технології підсилювача з легованим ербієм подвійним покриттям, використовуючи унікальний процес оптичного пакування в поєднанні з надійною конструкцією захисту від потужного лазера. , для досягнення високої потужності лазерного випромінювання в діапазоні довжин хвиль 1540~1565 нм. З високою потужністю та низьким рівнем шуму його можна використовувати у волоконно-оптичному зв’язку, Лідарі тощо.
50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip - це фотодіод із внутрішнім посиленням, що створюється шляхом застосування зворотної напруги. Вони мають вищий відношення сигнал/шум (SNR), ніж фотодіоди, а також швидкий тимчасовий відгук, низький темновий струм і високу чутливість. Діапазон спектрального відгуку зазвичай знаходиться в межах 900 - 1650 нм.
Цей 1550 нм 5 Вт однохвильовий DFB волоконний лазерний модуль, легований ербієм, використовує лазерний чіп DFB і модуль оптичного тракту високої потужності для реалізації високої вихідної потужності одномодового волокна. Професійно розроблена схема управління лазером і регулювання температури забезпечує безпечну і стабільну роботу лазера.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Китайські волоконно -оптичні модулі, волоконні лазерні виробники, постачальники лазерних компонентів усі права захищені.
