Ви можете бути впевнені, що купуєте на нашому заводі малогабаритний лазерний насос DIL 974 нм 300 мВт без охолоджувача TEC, і ми запропонуємо вам найкраще післяпродажне обслуговування та своєчасну доставку.
Цей волоконно-волоконний лазерний модуль CW DFB з однодовжиною хвилі 1550 нм потужністю 2 Вт використовує лазерний чіп DFB і модуль оптичного тракту високої потужності для реалізації високої вихідної потужності одномодового волокна. Професійно розроблена схема керування лазером і керування температурою забезпечує безпечну та стабільну роботу лазера.
Волокно з високим поглинанням, леговане ербієм, може зменшити довжину використовуваного волокна, тим самим зменшуючи нелінійний ефект волокна, і в основному використовується в волоконних підсилювачах 1,5 м¼м і волоконних лазерах. Волокно накачується при 980 нм або 1480 нм і має низькі втрати при зрощенні та хорошу консистенцію.
Цей лазерний діод TO-CAN DFB потужністю 1550 нм потужністю 5 мВт — це продукт, який працює в широкому діапазоні температур із низьким коефіцієнтом довжини хвилі температури. Він добре підходить для таких застосувань, як дослідження зв’язку, інтерферометрія та оптична рефлектометрія для вимірювання відстані у волокні або у вільному просторі. Кожен пристрій проходить тестування та припікання. Цей лазер постачається в 5,6-міліметровій банці TO. Він містить інтегровану асферичну фокусувальну лінзу в кришку, що дозволяє узгоджувати точку фокусування та числову апертуру (NA) із волокном SMF-28e+.
Оптоволоконний підсилювач із легованим ербієм високої потужності C-діапазону 1 Вт 30 дБм EYDFA (EYDFA-HP) заснований на технології підсилювача з легованим ербієм з подвійною оболонкою, з використанням унікального оптичного процесу упаковки в поєднанні з надійною конструкцією захисту від лазера високої потужності, для досягнення високої потужності лазерного випромінювання в діапазоні довжин хвиль 1540~1565 нм. З високою потужністю та низьким рівнем шуму його можна використовувати у волоконно-оптичному зв’язку, Лідарі тощо.
1-мм фотодіодний чіп InGaAs/InP PIN забезпечує чудовий відгук від 900 нм до 1700 нм, 1 мм фотодіодний чіп InGaAs/InP PIN ідеально підходить для оптичних мереж з високою пропускною здатністю 1310 нм і 1550 нм. Серія пристроїв забезпечує високу чутливість, низький темний струм і високу пропускну здатність для високої продуктивності та низької чутливості конструкції приймача. Цей пристрій ідеально підходить для виробників оптичних приймачів, транспондерів, модулів оптичної передачі та комбінованого PIN-фотодіода – трансімпедансного підсилювача.
Авторське право @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. – Китайські волоконно-оптичні модулі, виробники оптоволоконних лазерів, постачальники лазерних компонентів. Усі права захищено.
