Лазерний діодний чіп-це напівпровідниковий лазер, який складається з структури P-N і працює від струму. Лазерний діодний пакет - це повний пристрій, який збирається та упаковується разом у корпусі герметичного пакету для формування напівпровідникового лазерного мікросхеми, що випромінює когерентне світло, моніторинг фотодіодного мікросхеми для контролю зворотного зв'язку потужної потужності, мікросхему датчика температури для моніторингу температури або оптичного лінз для лазерного колімації.
Характеристики поляризації світла - це опис напрямку вібрації електричного поля вектора світла. Всього є п’ять станів поляризації: абсолютно неполяризоване світло, частково поляризоване світло, лінійно поляризоване світло, еліптично поляризоване світло та кругове поляризоване світло
Лазер насоса - це лазер, який використовується для забезпечення джерела світла для волоконного лазерного або волоконного підсилювача. Довжина хвилі викидів лазера насоса 980 нм становить приблизно 980 нанометрів (нм).
Широкосмугове світло ASE, що генерується за допомогою клітковини, легованого ERBIUM, є ампліфікованим спонтанним випромінюванням, що генерується за допомогою волокна, що лежить у відкачуванням короткої хвилі. Як показано на наступній діаграмі, перехід іонів рідкісних земних іонів між рівнями верхньої та нижньої енергії для генерування спонтанного світла випромінювання, яке посилюється в процесі стимульованого випромінювання. Цей процес повторюється безперервно, і навіть досить висока вихідна потужність може бути досягнута в достатніх умовах накачування. (ASE = ампліфікована спонтанна випромінювання, посилене спонтанне випромінювання)
Для оптичного волокна, що підтримує поляризацію (ПМ), припускаючи, що напрямок поляризації входу лінійно поляризоване світло знаходиться в середині швидкої осі та повільної осі, його можна розкладати на два ортогональні поляризаційні компоненти. Як показано на малюнку нижче, дві світлові хвилі спочатку мають однакову фазу, але оскільки показник заломлення повільної осі більший, ніж у швидкої осі, їх різниця фаз лінійно збільшиться з відстані поширення.
Залежно від матеріалу активного регіону, ширина зазору смуги напівпровідникового матеріалу синього світла лазера напівпровідника змінюється, тому напівпровідниковий лазер може випромінювати світло різних кольорів. Матеріал активного регіону лазерного напівпровідника синього світла - Ган або Інган.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Китайські волоконно -оптичні модулі, волоконні лазерні виробники, постачальники лазерних компонентів усі права захищені.
