Продукти

50 мкм InGaAs лавинні фотодіоди APD

50 мкм InGaAs лавинні фотодіоди APD - це найбільший комерційно доступний APD InGaAs з високою чутливістю та надзвичайно швидким часом наростання та падіння в діапазоні довжин хвиль від 900 до 1700 нм, пік чутливості на 1550 нм ідеально підходить для eys, безпечних космічних додатків для далекоміру. OTDR і оптична когерентна томографія. Чіп герметично закритий в модифікованому пакеті TO, також доступний варіант з косичками.

Надіслати запит

Опис продукту

1. Резюме 50 мкм InGaAs лавинних фотодіодів APD

50 мкм InGaAs лавинні фотодіоди APD - це найбільший комерційно доступний APD InGaAs з високою чутливістю та надзвичайно швидким часом наростання та падіння в діапазоні довжин хвиль від 900 до 1700 нм, пік чутливості на 1550 нм ідеально підходить для eys, безпечних космічних додатків для далекоміру. OTDR та оптична когерентна томографія.
Мікросхема герметично закрита в модифікованому пакеті ТО, також доступний варіант з косичками.

2. Впровадження 50 мкм InGaAs лавинних фотодіодів АФД

3. Особливості 50 мкм InGaAs лавинних фотодіодів АФД

Діапазон виявлення 900-1700 нм;

Широкий динамічний діапазон;

Висока відповідальність;

Низький темний струм;

Стандартний пакет ТО-46.

4. Застосування 50 мкм InGaAs лавинних фотодіодів АФД

Оптичний датчик;

вільний простір оптичного зв'язку.

5. Абсолютні максимальні показники 50 мкм InGaAs лавинних фотодіодів APD

Параметр	символ	Хвороба	Хв.	Макс.	одиниця
PD Зворотна напруга	VR	CW	-	60	V
Прямий струм	ЯКЩО	CW	-	3	мА
Робоча температура	ТОП	Температура корпусу	-40	+85	℃
Температура зберігання	TSTG	Температура навколишнього середовища	-40	+85	℃
Температура/час пайки свинцю	Ц	-	-	260/10	â„ƒ/S

5. Електрооптичні характеристики (T=25°ƒ) 50 мкм InGaAs лавинних фотодіодів APD

Параметр	символ	Хвороба	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
Діапазон довжин хвиль	λ		900	-	1700	нм
Активна зона	φ	-	-	50	-	гм
Відповідальність	Re	M=1,Î»=1310 нм	0.85	-	-	A/W
Коефіцієнт множення	M	VR=VBR-3, Î»=1310 нм, Ï†e=1uW	10	-	-	-
Темна течія	ID	VR=VBR-3, Ï†e=0	-	-	10	nA
Напруга зворотного пробою	VBR	ID=10Î¼A, Ï†e=0	40	43	45	V
- Пропускна здатність 3 дБм	BW	M=10, RL= 50Î©	2.0	-	-	ГГц
Ємність	C	M=10, Ï†e=0	-	-	0.5	пФ

6. Визначення креслення та розшифровки (одиниця: мм) лавинних фотодіодів InGaAs 50 мкм

7. Доставка, доставка та обслуговування 50 мкм InGaAs лавинних фотодіодів APD

Всі продукти були перевірені перед відправкою;

На всю продукцію надається гарантія 1-3 роки. (Після гарантійного періоду якості почала стягуватися відповідна плата за обслуговування.)

Ми цінуємо ваш бізнес і пропонуємо миттєву політику повернення протягом 7 днів. (7 днів після отримання товарів);

Якщо товари, які ви купуєте в нашому магазині, не мають ідеальної якості, тобто вони не відповідають вимогам виробника в електронному вигляді, просто поверніть їх нам для заміни або повернення грошей;

Якщо товари є несправними, повідомте нас протягом 3 днів після доставки;

Будь-які предмети повинні бути повернуті в початковому стані, щоб отримати право на відшкодування або заміну;

Покупець несе відповідальність за всі витрати на доставку.

8. Поширені запитання

З: Яку активну зону ви б хотіли?

В: у нас є лавинні фотодіоди 0,3 мм 0,5 мм 1 мм з активною зоною.

З: Які вимоги до роз'єму?

A: Box Optronics може налаштувати відповідно до ваших вимог.

Гарячі теги: 50um InGaAs лавинні фотодіоди APD, виробники, постачальники, оптовий продаж, фабрика, індивідуальний, масовий, Китай, виготовлено в Китаї, дешевий, низька ціна, якість